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2018复旦大学微电子设计考研复习经验
添加时间:2017/6/29  来源:复旦大学考研网  浏览数:197
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  专业课:一共五本书。但说实话,考的内容不多,仔细看看专业课大纲,你会发现数电只考前四章(第五章大纲有,但从没考过),模电(童诗白)主要考前六章,当然后面功率放大等还要看一看。模拟CMOS内容很多,但每年只考一个题,而且都是拉扎维那本书上最典型的题,甚至有一年就考的例题。数字集成电路大纲有四章,但每年的考点都集中在第五章和第六章。ASIC只需要看复旦的自编讲义,网上有,可以搜到,但大多数是PPT,没有第三章测试,有一个PDF版的,那个很全。下面细说一下各科。

  模电:我开始用的陈光梦版,看了两遍,后来有看的童诗白的,才发现童诗白那本书的课后题,还有和童诗白课本配套的一本习题解答上的例题,都和复旦真题很像。所以我后来就没再看陈的,只看童的(看了至少四遍)。说实话,这两本都可以,弄透一本就行,当然首推童诗白的那本书,而且童的书课后题详细解答都有,还有那本习题解答上的例题都很经典。不建议陈和童两本都看。如果看童的,课后题和习题解答上的例题当然要做完,而且是反复的做,做到很熟很熟为止。模电我没有用其他参考书,觉得把童的书做透了就可以了,当然如果有精力的话,可以参考一下研途宝博志复旦考研网的资料。看一下复旦每年考研试题你会发现出题很有规律性,再看童那本书,重点神马的就很了然了。

  数电:陈的那本书很经典,看似很薄,其实需要花很大功夫(看了至少五遍)。数电也是每年出题最难的,像09年。当年,今年数电的题比较简单。数电只需看前四章,前三章简单,第四章是难点。陈那本书的课后题当然还是要全做,也是反复的做。做完这个有精力的话推荐买一本历年考研数电真题集,那本书集合了各个学校考研专业课中数电的题目,很有参考价值。和那本书一个系列的还有一本模电的,也可以买来参考一下。数电2011的题目偏简单。以往的试题出题也很有规律性,出题的难点一般在第四章同步时序电路的设计。这重题要多做,而且不能仅限于陈的课后题,多找其他资料做做这类题目。

  CMOS模拟集成电路:拉扎维那本书不用说,经典中的经典。需要认真仔细的研究,虽然只考一个题,但那本书对以后研究生做模拟的重要性不言而喻,所以多看多耽误些时间也没有坏处。看看往年试题,你也能找到出题规律,重点当然是第三章,那一章是重中之重,也是基础。建议大家还是把考纲上的考点都看一下,这一部分出题变数比较大,甚至考过9章的内容。课后题尽量多做,当然全部做完是比较困难,而且也是没有必要的,只要把典型的弄懂弄透就很好了。王道还是看课本,特别是课本上的例题,尤其重要。

  数字集成电路:周润得翻译的那本。第五章和第六章是重中之重。往年考题也集中在这儿,课本看懂,做真题,做课后题。参考书上有一个网址,那个网站上有各章的课后题,网上可以搜到各章课后题的解答。五六章的课后题要仔细的做。做完了你就会发现甚至这些课后题里有往年真题。

  ASIC:复旦自编讲义。网上的PPT内容过于简单,讲义内容要全的多。每年这部分考题都是考基本的概念和流程,有时会考测试的方法。那本书不需要花太多时间,说句玩笑话,可以当科普看,平时学累了翻一翻。重点还是一到三章。有时会考一下讲义上没有的概念和内容,这就是考自己的专业背景了,一些概念在平时上课的时候会讲到。当然你也可以到网上搜,多了解一些ASIC设计方面的知识没有坏处。只需要了解基本概念,原理不需多看。

  公共课:这一部分我就没有发言权了,网上的经验总结很多。英语可以说一下,我英语是80+可能因为以前英语基础就不错,考过GRE和托福,所以复习起来相对轻松一些。觉得在准备GRE阅读的过程中锻炼的长短句理解能力对考研很有帮助,推荐大家看一些长短句的书,突击练习一下,效果可能不错。数学每个人方法都不一样,我是反复做全书,做了5遍。政治也是80+,每个人都有适合自己的方法。

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